在美國政府打擊華為之后，可以毫不夸張地說，中國一直在以近乎全國性的力量發展半導體產業。熟悉芯片領域的小伙伴都知道，芯片制造的三個環節基本上是聯系在一起的，任何一個環節都不能有短板。以芯片制造環節來說，要生產高端芯片，就必須擁有EUV光刻機，而這正是我國在芯片制造領域的主要弱點。

雖然有些企業能夠獨立生產EUV光刻設備，但ASML并不完全“獨立”，因為它匯集了許多國家的頂尖技術，ASML沒有自主權。 它也受到美國芯片禁令的限制。 而如果中國想依靠自己來完成EUV光刻機的開發，雖然不能說完全不可能，但難度相當大。

正是因為這些原因的影響，華為為了能夠彌補在半導體技術領域的短板，打造一條100％純國產的半導體供應鏈，想了很多的辦法。一方面，華為可以利用旗下的哈勃投資公司大力扶持國內半導體企業，另一方面，華為增加科研投入，加強我國自主創新研發。同時，華為還在想辦法繞開光刻機，尋找彎道超車的機會。

華為的新芯片技術——量子芯片和量子計算機——已經引起了網上的廣泛關注，這可能是華為規避EUV光刻機的關鍵。專家已經確定量子芯片最有可能取代硅作為下一代半導體材料。可以理解為，如果能夠在量子芯片領域處于先機，那么未來就有機會采取主動。

在量子芯片和量子計算機方面，中國目前處于世界領先地位，穩居世界第一。 近兩年來，中國布局較早，投入不斷增加，在量子技術領域取得了一些成就。 在此之前，中國科學院開發的“九章”量子計算機已經超過谷歌，成為世界上計算速度最快的超級計算機，比谷歌的“皇家鈴木”快100億倍，優勢明顯。 

與普通芯片相比，量子芯片是通過在芯片上集成量子電路來處理信息的。目前，芯片已經進入1納米制程技術時代，幾乎到了頂峰了，如果使用量子芯片，精度更高，單位更小，功能更強，因此量子芯片有可能取代硅芯片，成為未來芯片市場的主流半導體材料。

量子芯片的發展存在困難，比如成品率低，制造困難。華為發布的新技術專利就是用來解決這些難題的。一旦華為取得突破，華為將能夠在量子芯片領域占據領先地位，這對中國科技企業未來打破美國企業在半導體領域的壟斷具有重要意義。

量子芯片和硅芯片不同，它屬于超導量子電路材料，因此在制造的過程中，是不需要光刻機的，只要運用量子碰撞，就能夠有效實現個人信息數據交互，所以量子芯可以完全繞開EUV光刻機的限制。雖然中國科技企業不會放棄光刻機，但能繞開的話也不失為一個好選擇。

目前，中國在量子領域已經申請了技術專利3000多項，而美國只有約1000項技術專利。