最近，HW的多項芯片相關專利已經公開，除了已經公開的駕駛輔助、車輛驅動芯片等相關專利外，所涉及的技術也首次擴展到IGBT和密封測試領域。

根據公開資料，去年11月，HW續簽了一項名為“半導體器件及相關芯片和制造方法”的發明專利，以提高 IGBT 在高電感負載電路中的性能。

HW同期公布的其他專利還包括駕駛輔助系統、車載攝像頭和車載驅動芯片等。由于IGBT在當前消費領域多用于電動汽車，因此HW深度研發電動汽車底層設備和解決方案的可能性很大。

無獨有偶，12月2日，HW深度合作的賽力斯汽車公司發布了“由HW深度賦能”的全新高端產品品牌AITO。HW智能汽車解決方案BU CEO，該車是首款搭載一個最新鴻蒙生態（HarmonyOS）座艙的車型，聯系起來實在引人遐想。

此外，HW近最近宣布了兩項芯片封裝技術的專利，即“封裝芯片及封裝芯片的制造方法”和“芯片封裝組件、電子設備和芯片封裝組件的制造方法”。

2021年6月，HW在武漢建立首家光通信芯片制造工廠的消息傳出。盡管尚不清楚該項封裝技術具體可以用于何種芯片，但隨著供應鏈封鎖的持續，5G通信、汽車、手機等業務的競爭步入深水區，HW深度介入更廣泛的半導體材料技術研發和制造已經逐漸成為不得不走的一步。

向公眾披露的專利 HW涉及先前披露的“雙芯堆”技術，包括3D封裝、異構化等。

此前有猜測稱，手機SoC采用雙核疊加技術，多個14nm芯片疊加接近7nm芯片的性能，類似于近年來因摩爾定律的限制而火起來的Chiplet技術。