GaN的專利儲備主要是光電子器件，面向新應用的顯示技術創新方向是襯底、GaN HMET器件和Micro LED；

日本和美國具有先發優勢，但隨著無效專利比例的逐步提高，業內后來者有望打破更多壁壘。

在快速充電應用的推動下，氮化鎵(GaN)市場自2020年開始騰飛，在電力設備和射頻市場迎來巨大商機。此前，集微咨詢GAN系列文章《集微會診：千呼萬喚她羞澀地走出蘋果GAN快充，拉開了下一個GAN引爆點的序幕》和《集微會診：GAN快充上甜點，中低壓市場迎來更多殺手級應用》分別分析，GaN技術已經走出泡沫低谷進入穩中有升的亮亮期，將在中低壓器件市場迎來更大的市場活力。隨著越來越多的廠商涌入，GaN領域的競爭也越來越激烈。本文將從專利的角度對該領域未來的種子選手進行分析。

目前，全球GaN產業格局已初步固定，形成上游原料(襯底、外延片)、中游GaN制造(GaN芯片設計、制造、封閉測試)和下游GaN應用(電力電子器件、射頻器件、光電器件)的產業鏈，廣泛應用于功率器件、射頻器件、光電顯示等領域。根據《市場與市場》的數據，2020年全球GaN器件的主要類別是GaN光電子器件、GaN射頻器件和GaN電力電子器件。從細分市場來看，GaN光電器件市場應用最高，占65.22%，其次是GaN射頻器件，市場占有率為29.89%，而GaN電力電子器件市場規模最小，僅為4.89%。